电子设计工程
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电力电子技术发展的新动向

  (3)开关

  第三部分分成两部分,主体是功率 MOSFET或IGBT,但常需续流二极管同时工 作。这种二极管速度快,而且恢复特性软,以免 因寄生电感引起高压而损坏主器件。快恢复二 极管通常用外延片做,故称FRED(快恢复外延 二极管)。有时也用肖特基二极管和功率 MOSFET搭配,因为肖特基二极管的正向好, 而且由于肖特基二极管是金属半导体结,所以 理论上不存在少数载流子的恢复时间。但肖特 基二极管在反向时,往往漏电流很大,耐不住高 压。

  为应用的需要,一种新型的耐 髙反压的快恢复外延二极管应运而生。它是在 肖特基二极管的基础上,加上密集的pn结小 原胞,在正向时,它有肖特基二极管的低压降特 性,而反向时,pn结空间电荷层展开,耐受住了 髙压。它的恢复特性快而且也很软。这种元件 在IR公司被称为HEXFRED,因为它的原胞 有六边形(HEX)结构,因而得名。值得注意的 是:所有这些快恢复二极管,其产值已近晶闸管 及整流元件的三分之一。这也是因为和大量 MOS器件配套的结果。

  现在再回过来讨论功率MOSFET和 IGBT,它们有一共同趋势是增加原胞的密度, 以增加所有原胞总周界长度。因为MOS型器 件是通过原胞的周界输送电流的。周界越长,其 通态电阻越小。从制造工艺来说,也就是精密度 增加。新一代的MOS器件,与超大规模集成电 路的工艺已经很少区别。下表给出了 MOSFET 的通态电阻和原胞密度的关系。上节介绍新一 代MOS器件的优点也即来源于此。

  功率MOSFET第1?第5代产品的发展过程参数第1代 (1979 年)第2代 (1984 年)第3代 (1992 年)第4代 (1993 年)第5代 (1995 年)

  通态电阻(mft/cm2)121.43.22.21.2

  封装密度(百万原胞/cm2)0.07750.13950, 18600. 52701. 0850

  对IGBT而言,由于它比MOSFET多一个 IGBT也有一种叫智能功率模块(IPM)的,它使pn结,因而本质上是个双极型晶体管。当然,我 们也可以使它更接近于MOSFET而较少少数 载流子的堆积。同时也常用减少少子寿命的办 法来加快IGBT的工作速度,但少子寿命的降 低也会影响正向压降。

  就像 MOSFET 有 SMARTFET一样,IGBT带有自保护功能,甚至把CIC也装在里边,但它不是单片器件,而是模块。在中小功率 应用时,也可以发展其它封装型式来代替模块。 美国IR公司发展的COPACK,就是把IGBT 与HEXFRED塑封在一起,成本还比模块便 (C)'(d)

  图7实验波形 (a)斩波器输出电压C/c4的波形 〇>)逆变器输出电压滤波前、后波形 (C)输出额定负载时滤波电感电流波形 (d)输出短路时滤波电感电流波形

  8结论

  本文阐述了软开关航空静止变流器电路拓 扑的工作原理,并进行了理论分析、计算机仿真 及实验验证,仿真与实验结果相符合。研制的工 程样机性能优良。实践证明,该电路拓扑适用于髙性能航空静止变流器。

  ⑷输出

  第四部分又是整流元件,但它们一般是低 压的,而且要求速度快。肖特基二极管是最常用 的一种。前面已经说过,新一代的MOSFET具 有最佳的通态电阻。所以也可被应用。肖特基二 极管和MOSFET都可以做成模块,供大电流 使用。一种新的组合器件FETKY是把肖特基 二极管和MOSFET组合在SO-8的包装内 (4mm X 5mm,8脚)。它可用于降压调节器中, 把DC12V降为5V或3. 3V。也可用于同步整流 器中,电流可达6. 4A。

  以上各节都仅作了简要介绍,如果展开,可以分成许多专题来介绍,希望以后会有这个机会。

  4结束语

  M0S型器件带来了电力电子技术崭新的 领域,很多应用比过去电力电子技术范畴更为 广泛,其功率和频率的覆盖面也更为宽广。这些 进一步为电力电子学增添了新的思路和概念。 我们必须迎接这个事实,把它们和传统的电力 电子学结合起来,使我国的电力电子事业有一个更大的发展。

  参考文献

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